在过去的50年里，集成电路的技术节点已经从1971年的10微米(μm)大幅缩减到目前的7纳米(nm)，甚至正往更小的3nm的节点推进。半导体晶圆关键尺寸日渐微小化，促使对无尘室生产环境洁净度的要求日趋严苛。气态分子污染物(AMC)已逐渐取代颗粒污染物而成为影响产业制程产率的关键因素之一。

　　AMC可能导致大量潜在的制程问题：如酸性气体(MA)因具有腐蚀性，会侵蚀晶圆上的金属薄膜,导致凹坑、线条开路、短路、漏电等;碱性气体(MB)氨气的存在则会影响导致光刻图形缺陷,并会导致光刻胶线条顶部呈T型(T-topping);可凝结有机气体(MC)很容易粘附到硅片表面,形成薄膜和表面分子沾污(SMC),会使光刻胶层、溅射层、PVD层或CVD层形成夹层结构;另外含硅、磷、硼等的挥发性的VOC如硅氧烷、有机磷酸酯等若被吸附并牢牢粘附到硅片、光刻机透镜或光刻版表面,就会很难去除或无法去除,其被光刻工程师称为难处理的难溶化合物( refractory compound);掺杂性气体(MD)如有机磷酸盐被吸附到硅片表面,受热后会分解成无机磷化物,变成掺杂剂,造成不希望发生的n型掺杂,导致电压漂移等问题。

　　半导体生产制程包含精密的微电子系统和IC，对于生产环境洁净度的要求特别严格，因此整个制造过程都在严格控制的环境条件下进行，也就是一般熟悉的洁净室。

　　为了维持洁净室的洁净度，半导体洁净厂房通常采用垂直单向流的方式，通过推出作用将室内污染的空气排至室外，从而达到净化室内空气的目的。

　　洁净室空气净化主要分为三个阶段：

　　第一阶段，通过空调箱中的预过滤器、初中效过滤器、高效过滤器、化学过滤器，对室外进入的空气进行多级过滤，逐级去除杂物、漂浮物及直径 0.3µm 以上颗粒物及大气中的化学污染物;

　　第二阶段，通过风机过滤单元并经过内置(或搭配)的高效、超高效过滤器、化学过滤器(工艺需要时)的过滤，向洁净室内部推送稳定的洁净空气层流，对洁净室的空气进行净化并达到极高的洁净度标准;

　　第三阶段，将洁净室的回风通过高架地板及送风管道(或回风夹道)，重新送至风机过滤单元，经高效、超高效过滤器、化学过滤器过滤后，再送入洁净室重复使用。

　　美埃半导体洁净厂房的主要结构示意图及主要产品的应用过程如下：

　　外部空气经过多级别空气过滤器(编号 1 至 4)逐级过滤后进入洁净室的内部循环系统。此后通过风机过滤单元搭配高效/超高效过滤器和选配的化学过滤器(编号 5、6、7)将洁净的空气以稳定的层流送至洁净室内部，通过风机过滤单元的不间断运转维持工作区域稳定的洁净度。在特定的设备或更高洁净度要求的工作区域，通过净化棚搭配 EFU(编号 8、9)在洁净室内部对空气进一步净化，达到局部更高级别的洁净度。

　　自2005年接到首个成都中芯国际自有品牌FFU订单开始，美埃已多次助力中国半导体行业发展，在高端洁净室专业领域占据重要地位。